DDR中的名词代表什么意思 DDR中的名词分析
发布时间：2022-01-07 10:33:34 所属栏目：教程 来源：互联网
导读：RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲; CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲; tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟; CL： CAS Latency，CAS潜伏期(又称读取潜伏期)，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的时间段; RL： Read Latency,读取潜
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RAS： Row Address Strobe，行地址选通脉冲; CAS： Column Address Strobe，列地址选通脉冲; tRCD： RAS to CAS Delay，RAS至CAS延迟; CL： CAS Latency，CAS潜伏期(又称读取潜伏期)，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的时间段; RL： Read Latency,读取潜伏期; tAC： Access Time from CLK,时钟触发后的访问时间，从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始到数据传到I/O总线上止的这段时间; tWR： Write Recovery Time,写回，保证数据的可靠写入而留出足够的写入/校正时间，被用来表明对同一个bank的最后有效操作到预充电命令之间的时间量; BL： Burst Lengths,突发长度，突发是指在同一行中相邻的储存单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到储存单元(列)的数量就是突发长度(SDRAM)，在DDR SDRAM中指连续传输的周期数; Precharge：L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作; tRP： Precharge command period，预充电有效周期，在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行; AL： Additive Latency，附加潜伏期(DDR2); WL： Write Latency，写入命令发出到第一笔数据输入的潜伏期; tRAS: Active to Precharge Command，行有效至预充电命令间隔周期; tDQSS： WRITE Command to the first corresponding rising edge of DQS，DQS相对于写入命令的延迟时间; 逻辑Bank SDRAM的内部是一个储存阵列，要想准确地找到所需的储存单元就先指定一个(row),再指定一个列(Column),这就是内存芯片寻址的基本原理。 芯片位宽 SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个储存单元的容量就是芯片的位宽(也是L-Bank的位宽); 储存单元数量=行数*列数(得到一个L-Bank的储存单元数量)*L-Bank的数量也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是该芯片中储存单元的总数，单位是兆(英文简写M，精确值是1048576)，W代表每个储存单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽，单位是bit; DDR SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽(芯片I/O口位宽)的一倍; DDR2 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的四倍; DDR3 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的八倍; DDR4 SDRAM内部储存单元容量是芯片位宽的八倍。 （编辑：上海站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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